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サムスン電子専務、半導体技術流出容疑で拘束

中央日報日本語版 9月23日(金)11時43分配信

サムスン電子役員が半導体の核心技術を不正に持ち出した容疑で拘束された。

水原(スウォン)地裁のイ・ジニョク令状専担判事は22日、サムスン電子が保有している半導体の核心技術を不正に持ち出した容疑で拘束令状の申請があったサムスン電子専務L(51)に対して「逃走のおそれがある」として令状を発行した。

Lはことし7月、自身の事務室から半導体核心技術が入った書類を持ち出そうとしたが、セキュリティ会社の職員に摘発された。サムスン電子はLを警察に告発し、捜査を行った京畿(キョンギ)南部警察庁国際犯罪捜査隊はこの日午前に拘束令状を申請した。

Lは当時、病気休暇を出していたが、午前0時ごろ事務室に現れたところを不審に思ったセキュリティ会社の職員に見つかった。Lは非メモリー半導体であるシステム大規模集積回路(LSI)等に関する核心技術が入った内部資料を会社の承認なく持ち出そうとしたが摘発された。システムLSIはスマートフォンの「頭脳」の役割を果たすアプリケーションプロセッサ(AP)、テレビのディスプレイ駆動チップなどを作る時に使われる。

サムスン電子関係者は「機密書類を外部に持ち出すためには事前承認を経るべきだが、この過程を経ずに書類を持ち出そうとしたところを摘発された。取り調べの過程で公金を横領した容疑も見つかり、警察に被害届けを出した」としながら「半導体産業は世界1位産業で技術流出が懸念されている。関連容疑を見つけた場合、直ちに警察に申告するものと承知している」と話した。

産業技術を流出させた場合、「産業技術の流出防止および保護に関する法律」により7年以下の懲役または7億ウォン(約6400億円)以下罰金刑に処せられる。海外に流出させた場合は加重処罰により15年以下の懲役または15億ウォン以下の罰金刑となる。

最終更新:9月23日(金)11時43分

中央日報日本語版

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