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電力損失約20%低減のパワー半導体、大型産機の省電力に効果

MONOist 4/21(金) 7:10配信

 三菱電機は2017年4月5日、鉄道車両や大型産業機械などに使用するパワー半導体モジュール「HVIGBTモジュール Xシリーズ」に、耐電圧3.3kV/4.5kV/6.5kVクラスを追加した。3.3kVクラスに定格電流1200A/1800A(2品種)、4.5kVクラスに同900A/1350A/1500A、6.5kVに同600A/900Aの計8種類をそろえ、同年9月より順次発売する。

 新製品には、キャリア蓄積効果を利用した独自のIGBT構造を持つ第7世代IGBTとRFCダイオードを搭載。従来品に比べ、電力損失を約20%低減した。外形サイズは従来比約33%縮小している。

 絶縁耐圧は6kVrmsまたは10kVrmsで、全耐圧クラスで動作温度150℃を保証している。これにより冷却器を簡素化できるため、インバーターの小型化や大容量化、設計自由度の向上につながるという。

最終更新:4/21(金) 7:10

MONOist