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SKハイニックス、2017年下期に72層3D-NANDフラッシュを量産

5/1(月) 20:20配信

投信1

投信1編集部によるこの記事の注目点

 ・ SKハイニックスは72層の3D-NANDフラッシュを開発。積層数の増加および生産性を高めることに成功しました。
 ・ 72層の256ギガビット(Gb)トリプルレベルセル(TLC)の3D-NANDフラッシュとして2017年下期から本格量産に入ります。
 ・ 東芝とマイクロンの場合、第3世代の開発には成功したものの、量産には苦労していると言われています。
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SKハイニックスは、このほど72層の3D-NANDフラッシュの開発に成功した。従来品に比べて積層数を1.5倍に増やし、生産性は30%高めた。新製品は、72層の256ギガビット(Gb)トリプルレベルセル(TLC)の3D-NANDフラッシュとして2017年下期から本格量産に入る。

生産性は従来品比30%アップ

SKハイニックスの新製品は、同社が独自で保有する技術を採用して開発した。積層数の増加に伴う工程上の難点をクリアした。現状で量産中の48層の3D-NANDフラッシュより、データを貯蔵するセルを1.5倍多く積める。容量256Gbのチップ1つだけで32ギガバイト(GB)の貯蔵装置が作れる。

同社は、16年5月ごろから36層の128Gb 3D-NANDフラッシュを大口取引先に供給し、同年11月には48層の256Gb製品を量産している。72層の256Gb 3D-NANDフラッシュは、72層の高層ビル約40億個を10円玉の面積に建てた、と表現できる。48層に比べて積層数を1.5倍に増やして、既存の設備を最大限に活用し、生産性を30%向上させた。高速回路の設計を適用し、チップ内部の動作スピードを2倍速めて、読み書き性能を20%程度高めている。

同社では、SSDとスマートフォン(スマホ)など、モバイル機器向けNANDフラッシュ・ソリューション製品への新製品の採用可能性を探っている。

クラウドなどに爆発的需要見込む

3D-NANDフラッシュは、メモリーセルを水平(2D)ではなく垂直に積み上げて、速度と容量を画期的に改善したメモリー半導体である。同じ空間から得られる貯蔵容量を大幅に増やせることから、既存のメモリー半導体市場を変える優れものと評価されているが、量産技術が難しいという短所を持つ。

メモリー半導体業界トップのサムスン電子でさえ、17年1月に第4世代の3D-NANDフラッシュを量産したばかりだ。東芝とマイクロンの場合、第3世代の開発には成功したものの、量産には苦労しているといわれている。

3D-NANDフラッシュは、人口知能(AI)、ビッグデータ、クラウドなどが牽引する第4次産業革命の時代に向けて、爆発的な需要増が期待されている。専門調査機関のガートナーによれば、17年のNANDフラッシュ市場規模は465億ドルに達し、21年には565億ドルまで拡大すると予測している。

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最終更新:5/1(月) 20:20
投信1