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中央大学、3D NANDのエラー40%削減とデータ保持寿命の2.8倍増加を実現

12/6(水) 17:15配信

Impress Watch

 中央大学 理工学部 竹内健教授のグループは12月6日、大容量で低コストな3D NANDフラッシュメモリにおける信頼性劣化の原因を突き止め、それを改善する手法を発表した。

 同グループによると、NANDフラッシュメモリにおける垂直方向の電荷の移動が、メモリセルの信頼性を劣化させているとしており、この電荷移動を抑制する手法「VTH Nearing」を開発することにより、データ保持中のメモリエラーを40%削減し、データを保持できる時間を2.8倍に増加させられたという。

 具体的には、隣接するメモリセルのしきい値電圧(VTH)の間隔を近づけるように、SSDコントローラで変調をかけることで、垂直方向の電界が低減することを抑え、電荷移動を抑制するとしている。

 この研究成果は、12月2日~6日にサンフランシスコで開催されたIEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)で発表された。

PC Watch,劉 尭

最終更新:12/6(水) 17:15
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