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富士電機、23年までの中期経営計画を策定

6/26(水) 20:40配信

LIMO

SiCの研究開発も推進

 研究開発費については5年間で740億円(18年度までの5年実績は624億円)を投じ、第8世代IGBTの開発やSiCデバイス&モジュールの開発を加速する。SiCについては、需要拡大期が当初見込みよりも遅れて25~26年になるとみているが、第1世代のトレンチMOSFETに比べて電力損失を23%低減できる第2世代品の開発を進めるとともに、一般産業/新エネルギー向けや電鉄向けのパッケージにも搭載を拡大して、用途に応じたパッケージ系列を追加していく。第2世代のSiCトレンチMOSFETは19年度末からサンプル提供を開始する。

積極投資で8インチ生産を拡大

 5年間で1200億円を計画している設備投資では、前工程で8インチウエハーによる生産の合理化(6インチからの切り替え)と能力増強に取り組み、8インチ生産能力を18年度比で約3倍に拡大する。後工程については、自動車用IGBT、ディスクリート、大容量とエアコン用の産業用IGBTおよび海外での生産拡大に取り組む。これらによって、半導体の海外売上比率を18年度の57%から23年度には61%まで高める考えだ。

 1200億円のうち、能力増強には600億~700億円を充てる考え。需要がもう一段増加した場合は、需要規模に応じてファンドリーの活用と自社での生産能力増強を検討する。

津村 明宏(電子デバイス産業新聞)

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最終更新:6/26(水) 20:40
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