パワーデバイス向けプリドライブ用フォトカプラ

中大電流IGBT／MOSFETプリドライブ用フォトカプラ「TLP5231」

　東芝デバイス＆ストレージは2020年3月、過電流検出などの保護機能を搭載した、中大電流IGBT／MOSFETプリドライブ用フォトカプラ「TLP5231」の量産出荷を開始した。FA機器や産業用インバーター、太陽光発電用パワーコンディショナーなどの用途を見込む。

　TLP5231は、2つの赤外発光ダイオードと2つ集積回路受光チップを組み合わせたデュアル出力のフォトカプラ。外付けのpチャンネルとnチャンネルのコンプリメンタリMOSFETバッファーを使用することで、中大電流IGBTやMOSFETのゲートをコントロールするプリドライバとして機能する。

　過電流発生時のソフトゲートターンオフ時間は、外部回路で制御できる。コレクタ電圧モニターによる過電流検出時と低電圧ロックアウト（UVLO）検知時には、フォルト信号を一次側にフィードバックする。

　また、外付けのコンプリメンタリMOSFETバッファーを使うことで、消費電力を削減できる。バッファーサイズを変えれば、多様なIGBT／MOSFETで必要なゲート電流を作ることができ、システムのパワーサイズに応じた設計が可能になる。

　動作温度範囲は－40～＋110℃で、出力ピーク電流は±2.5A、スレッショルド入力電流は3.5mA、コモンモード過渡耐性は±25kV/マイクロ秒以上、伝搬遅延時間は最大300ナノ秒。絶縁耐圧は5000Vrmsで、空間距離と沿面距離はどちらも8.0mm。10.3×10.0×2.1mmの16ピンSO16Lパッケージで提供する。